Samsung pretende crear una NAND de 1.000 capas para 2030 basándose en su nuevo diseño de NAND «multi-BV». The Bell informa de que este plan implica apilar cuatro obleas para superar los límites estructurales. La tecnología de unión de obleas desempeña un papel crucial en este avance y Samsung pretende utilizarla para romper la barrera de las 1.000 capas. El CTO de la división DS de Samsung Electronics, Song Jae-hyuk, señaló que la unión de obleas permite producir por separado obleas periféricas y de células antes de unirlas en un solo semiconductor. Según The Bell, es probable que esta tecnología aparezca primero en la NAND de 10ª generación (V10) de Samsung, mientras que los expertos del sector creen que una sola oblea puede albergar unas 500 capas de NAND cuando sólo se implementan estructuras de celdas. En el pasado, Samsung ha utilizado la técnica COP (Cell on Peripheral), un método que coloca el circuito periférico en una oblea, con las celdas NAND apiladas encima. Sin embargo, a medida que crecen las capas de NAND, las partes periféricas inferiores se enfrentan a una mayor presión que puede afectar a la fiabilidad.

Comentarios