Samsung hará una demostración de su memoria HBM3E de 12 alturas en la GTC 2024 con Hopper H200
Se espera que Samsung, que acaba de anunciar su memoria HBM3E de 12 niveles, realice una demostración en el próximo evento GTC 2024 de NVIDIA. Business Korea informa de que las pilas HBM3E alimentarán la GPU de IA "Hopper" H200 de NVIDIA, una versión más avanzada de la H100, que incorpora soporte para HBM3E y mayores cantidades de memoria. La pila HBM3E de 12 alturas de Samsung tiene 12 capas de DRAM apiladas con una innovación de Samsung en el cableado de la pila. Cada pila ofrece una densidad de hasta 288 Gbit, o 36 GB, lo que equivale a 216 GB de memoria sobre la interfaz de memoria HBM3E de 6144 bits de la H200. Ni Samsung ni NVIDIA han publicado las velocidades de DRAM de la memoria HBM3E 12H de Samsung configurada para la H200.
Comentários