Los problemas de rendimiento de Samsung en 2nm siguen sin resolverse

Los planes de fundición de Samsung han vuelto a sufrir un importante revés. La empresa ha notificado al personal de sus instalaciones de Taylor (Texas) que va a retirar temporalmente a los trabajadores porque sigue teniendo problemas con el rendimiento de los semiconductores de 2 nm, lo que retrasa los plazos de producción en masa de finales de 2024 a 2026. El centro de Taylor se había anticipado como la instalación insignia para la producción de Samsung en sub-4 nm, permitiendo el acceso a clientes potenciales cerca de las instalaciones. Aunque Samsung ha avanzado con rapidez en el desarrollo de procesos, sus rendimientos en los nodos avanzados los han superado. Los rendimientos de la empresa en los procesos sub-3 nm rondan el 50%, y la tecnología Gate-All-Around (GAA) registra rendimientos de sólo el 10-20%, muy inferiores a los del 60-70% de su competidor vecino TSMC en los nodos correspondientes.

Las diferencias de rendimiento que experimenta la empresa han agravado la brecha en la cuota de mercado, ya que TSMC acaparó el 62,3% de la cuota de mercado mundial de fundición en el segundo trimestre, frente al 11,5% de Samsung. La empresa está luchando por ganar cuota a pesar de los esfuerzos del Presidente Lee Jae-yong -incluidas visitas a los proveedores de componentes ASML y Zeiss- y estos rendimientos ponen en peligro hasta 9 billones de wons en subvenciones potenciales de la Ley CHIP estadounidense que dependen de hitos operativos.

Fuente: TrendForce