La empresa china UNIS desarrolla una unidad SSD M.2 Gen 5 sin DRAM con una velocidad secuencial máxima de 14,9 GB/s

La empresa china de hardware para PC UNIS, filial de Tsinghua Unigroup, ha presentado una nueva unidad SSD M.2 Gen 5 NVMe de consumo potencialmente disruptiva que podría superar a las unidades Gen 5 más rápidas de su factor de forma. La nueva UNIS S5 está fabricada en formato M.2-2280, con una interfaz de host PCI-Express 5.0 x4. La empresa afirma que alcanza una velocidad máxima de lectura secuencial de 14,9 GB/s, superior a la de las actuales unidades SSD M.2 Gen 5 NVMe del segmento cliente. Así es como la unidad podría superar a sus contemporáneas occidentales: no tiene DRAM.

La unidad incorpora un controlador SSD de primera generación diseñado por UNIS, que se basa en la tecnología HMB (host memory buffer). Además de sus 14,9 GB/s de velocidad máxima de lectura, la unidad ofrece una velocidad máxima de escritura secuencial de 12,9 GB/s -también entre las más altas del sector- y un rendimiento de acceso aleatorio 4K de hasta 1,8 millones de IOPS de lectura, con hasta 1,7 millones de IOPS de escritura. Estas prestaciones hacen que la UNIS S5 sea mucho más rápida que cualquier SSD Gen 5 sin DRAM, ya que las unidades más rápidas de este tipo ofrecen velocidades de transferencia secuencial de unos 12 GB/s, y más rápidas que las unidades basadas en una plataforma de controlador con DRAM en caché. Por ejemplo, la recién lanzada Samsung 9100 PRO ofrece velocidades de lectura secuencial de hasta 14,8 GB/s, pero con velocidades de escritura secuencial superiores, de hasta 13,4 GB/s. En la imagen inferior aparece el UNIS S5 Ultra, el disco insignia de la compañía basado en un controlador propio con memoria DRAM en caché.

Fuente: Tom's Hardware